DENSO разрабатывает свой первый инвертор с использованием силовых полупроводников SiC

– Высокоэффективные чипы из карбида кремния значительно снижают потери мощности в электромобилях –

КАРИЯ, Япония (31 марта 2023 г.) – DENSO CORPORATION, ведущий поставщик мобильных устройств, объявила о разработке своего первого в мире инвертора на основе полупроводников карбида кремния (SiC). Этот инвертор, встроенный в eAxle, модуль электрического привода, разработанный BluE Nexus Corporation, будет использоваться в новом Lexus RZ, первой модели автопроизводителя с аккумуляторным электромобилем (BEV), выпущенной 30 марта.

Силовые полупроводники SiC состоят из кремния и углерода, что значительно снижает потери мощности по сравнению с силовыми полупроводниками из кремния (Si). Крейсерское испытание, проведенное BEV в определенных условиях с использованием полупроводниковых инверторов SiC, показало, что инверторы с силовым полупроводником SiC снижают потери мощности менее чем вдвое по сравнению с инверторами с полупроводниковым кремнием. В результате повышается энергоэффективность электромобилей и увеличивается запас хода.

Ключевые элементы разработки нового инвертора: Силовые полупроводники SiC с уникальной структурой металл-оксид-полупроводник (МОП) траншейного типа (МОП) DENSO*1 повышают выходную мощность на кристалл, поскольку снижают потери мощности, вызванные выделением тепла. Уникальная структура обеспечивает работу при высоком напряжении и низком сопротивлении включения*2.

Ключевые элементы производства нового инвертора • Основываясь на высококачественной технологии, совместно разработанной DENSO и Toyota Central R&D Labs., Inc., DENSO использует эпитаксиальные пластины SiC*3, в которых использованы результаты работы по заказу компании New Energy and Industrial Technology Development. Организация (НЕДО). В результате DENSO вдвое сократила количество дефектов кристалла, которые мешают устройству нормально работать из-за нарушения атомного расположения кристалла. • За счет уменьшения дефектов кристалла повышается качество силовых полупроводниковых приборов SiC, используемых в транспортных средствах, и их стабильность. производство обеспечено.

Компания DENSO называет свою технологию SiC «REVOSIC®» и использует ее для комплексной разработки технологий для самых разных продуктов — от пластин до полупроводниковых устройств и модулей, таких как силовые карты. управление энергопотреблением транспортных средств, а также использование гранта Фонда зеленых инноваций (GI Fund) *4, который был принят в 2022 году.

*1 Уникальная МОП-структура траншейного типа от DENSO: полупроводниковые устройства с траншейным затвором, использующие запатентованную технологию релаксации электрического поля DENSO.*2 Сопротивление в открытом состоянии: мера легкости прохождения тока; чем ниже значение, тем ниже потери мощности.*3 Эпитаксиальные пластины SiC: монокристаллические пластины SiC с эпитаксиально выращенным тонким слоем SiC.*4 Фонд зеленых инноваций (GI Fund): Фонд GI был создан Министерством экономики, торговли и промышленности. (METI) и передан в NEDO с целью достижения углеродной нейтральности к 2050 году. Компания DENSO была выбрана для получения субсидий на проект по разработке технологии производства силовых полупроводниковых приборов следующего поколения (для электромобилей).

Фотографии продукта

Инвертор

Силовая карта

【Справочник】Для получения более подробной информации о REVOSIC® посетите: https://www.denso.com/global/en/news/newsroom/2020/20201210-g01/